RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
45
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
2941
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link