RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
45
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
2634
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link