RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
45
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
14.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
3166
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link