RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
45
Rund um -105% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
9.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
2682
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link