RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
45
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.2
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
3399
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link