RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
45
Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.9
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
2545
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link