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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
46
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
8.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
2368
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
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