RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
45
Rund um -73% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
15.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
3617
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link