RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
45
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
11.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
2763
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link