RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
5.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
45
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
5.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
1806
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link