RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
45
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.3
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
12.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
2973
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link