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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
85
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.2
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
85
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.9
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
9.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2077
1838
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
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