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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
46
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
13.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2072
3298
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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