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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
46
Rund um -84% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.0
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
11.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2072
2544
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
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