RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
46
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
12.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2072
2901
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link