Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Gesamtnote
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Gesamtnote
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Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Unterschiede

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    46 left arrow 75
    Rund um 39% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.9 left arrow 7.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    14.9 left arrow 12.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 12800
    Rund um 1.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    46 left arrow 75
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.2 left arrow 14.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.9 left arrow 7.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2072 left arrow 1763
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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