RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
47
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.9
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
3357
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link