RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
47
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
3393
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB RAM-Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link