RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
47
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
3097
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link