RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
47
Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
9.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
2243
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link