RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
47
Rund um -88% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
10.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
2910
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link