RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
47
Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
3291
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Inmos + 256MB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link