RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
47
Rund um -42% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
2590
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston X7C75G-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G3N18AES4.16FE 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link