RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
47
Rund um -47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.9
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
19.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
14.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
3372
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1600C11 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link