RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
47
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
3132
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link