RAM-Vergleich Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Gesamtnote

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

37 45

Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.9 12

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

13.8 7.8

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 12800

Rund um 2 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1939 3170

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns