RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
45
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
14.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
3645
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
INTENSO 5641162 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link