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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
62
Rund um 27% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
9.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
2018
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
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Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
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