RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
45
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
14.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
3258
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link