RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
45
Rund um -45% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
2848
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link