RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
45
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
2570
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link