RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
45
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
3119
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link