RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
45
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
12.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
2994
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link