RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
45
Rund um -137% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
15.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
3383
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link