RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
45
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.9
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
13.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
3429
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Mushkin 991763 (996763) 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link