RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
45
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
2901
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link