RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
45
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
10.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
2672
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link