RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
45
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
12
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
6.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
2312
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link