RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
45
Rund um -105% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
14.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
3394
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18JSF51272PZ-1G4D1 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link