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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
65
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
8.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
5.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
1981
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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