RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
45
Rund um -165% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.6
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.6
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
21.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
18.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
3528
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link