RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12
5.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
5.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
1535
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link