RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12
5.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
5.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
1535
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link