RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
45
Rund um -137% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
15.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1939
3397
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link