RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
48
Rund um 6% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.1
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2080
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link