RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
49
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
49
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
11.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
2673
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB RAM-Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link