RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
79
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.5
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
79
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
1850
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link