RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
69
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
69
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
1980
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Corsair CMY8GX3M2A3000C12 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link