RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
45
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
13.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3221
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link