RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
45
Rund um -29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.4
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3164
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link