RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gesamtnote
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
45
Rund um -165% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.6
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
45
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
19.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1992
3775
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link